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Oxide TFT 열처리 효과 

1. 소스드레인 전류가 높으면서 모듈레이션이 되지 않다가 열처리 후 오프 전류가 낮아지고 모듈레이션이 됨

2. 소스드레인 전류가 낮으면서 모듈레이션이 되지 않고 열처리 후 모듈레이션이 됨

3. 모듈레이션이 어느 정도 되며 열처리 후 특성이 더 좋아짐

3. 모듈레이션이 어느 정도 되며 열처리 후 특성이 더 좋아짐

Year	Authors	Title	IGZO
2011 Chaotung U. Taiwan	Chur-Shyang Fuh a, Simon Min Sze, Po-Tsun Liu, Li-Feng Teng, Yi-Teh Chou	Role of environmental and annealing conditions on the passivation-free in-Ga–Zn–O TFT	All shadow mask IGZO condition Thickness 50nm In:Ga:Zn:O 1:1:1:4 Depo. Temp. DC sputt. R.T. Gas Ar Pressure 3mTorr Gate Insulator Thermal oxide 100nm S/D ITO(50nm). W/L=1200/200
2010 고려대 주병권	Hyeon-seok Bae, Jae-Hong Kwon, Seongpil Chang , Myung-Ho Chung, Tae-Yeon Oh, Jung-Ho Park a , Sang Yeol Lee, James Jungho Pak, Byeong-Kwon Ju	The effect of annealing on amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors	IGZO condition Thickness 50nm In:Ga:Zn:O   Depo. Temp. RF magnetron Sputt. R.T. Gas - Pressure 5mTorr Gate Insulator Thermal oxide 100nm S/D Ti(10nm)/Au(90nm) e-baeam/evap. R.T. Lift-off