/ 미각센서

 

HOME

Oxide TFT 열처리 효과

1. 소스드레인 전류가 높으면서 모듈레이션이 되지 않다가 열처리 후 오프 전류가 낮아지고 모듈레이션이 됨

2. 소스드레인 전류가 낮으면서 모듈레이션이 되지 않고 열처리 후 모듈레이션이 됨

3. 모듈레이션이 어느 정도 되며 열처리 후 특성이 더 좋아짐

 

 

 

 

 

 

2. 소스드레인 전류가 낮으면서 모듈레이션이 되지 않고 열처리 후 모듈레이션이 됨

 

 

 

 

Year Authors Title IGZO  
         
2014

NAIST,Uraoka LAB, Japan

Yoshihiro UEOKA Analysis of Electronic Structure on Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide for Flexible Printed Display
Thickness 70nm
In:Ga:Zn:O 1:1:1:4
Depo. Temp. RF mag.Sputt.

R.T.

Gas 4~5% O2 with Ar
Pressure 0.6Pa
Gate Insulator Thermal oxide
S/D Mo(80nm)/Pt(20nm)

RFmganetron Sputt.

Lift-off

 

IGZO was deposited under 4, 4.5, and 5% O2 in Ar at a pressure of 0.6 Pa by RF magnetron sputtering at room temperature