| Process | Material | ||
| 1. Light shield | Mask 1 | ||
| 2. Insulator | |||
| 3. Active | IGZO | Mask 2 | |
| 4. Gate insulator | SiO2? | ||
| 5. Gate | Mo? | Mask 3 | |
| 6. Insulator etch | |||
| 7. S/D doping | |||
| 8. ILD 1 | SiO2? | ||
| 9. Contact hole | Mask 4 | ||
| 10. S/D | Al? | Mask 5 | |
| 11.ILD2 | |||
| 12. Contact hole | Mask 6 | ||
| 13. Cathode | Mask 7 | ||
| 13. Bank | Mask 8 | ||
| 14. Evaporation OLED | |||
| 15. Anode | |||
| 17. Encapsulation | |||
| Bus line | Material | Resistivity | Thickness | Sheet Resistance | Length | Width | Resistance |
| Light shield | |||||||
| Gate line | 60720 um | ||||||
| Data line | 60720 um | ||||||
| Cathode | |||||||
| Anode |
|
Item |
Value |
Etc. |
|
|
Switch TFT |
W |
|
|
|
L |
|
|
|
|
Drv. TFT |
W |
|
|
|
L |
|
|
|
|
Cst |
Area |
|
|
|
Selection line |
Width |
|
|
|
Data line |
Width |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
휘도 및 전류 계산 예
|
|
R |
G |
B |
|
|
휘도 비 |
0.80 |
2.34 |
1.00 |
White 색좌표( , , ) |
|
휘도(cd/m2) |
62.25 |
175.00 |
75.00 |
목표휘도 300 cd/m2 |
|
화소 면적 비 |
1/3 |
1/3 |
1/3 |
균등비율 |
|
Fill Factor |
0.35 |
0.35 |
0.35 |
|
|
화소휘도(cd/m2) |
533.57 |
1500.00 |
642.86 |
휘도/(FF*화소 면적 비) |
|
전류밀도(mA/cm2) |
9.00 |
6.30 |
6.50 |
|
|
다이오드 면적 u2 |
4167.45 |
4167.45 |
4167.45 |
189 um X 189 um X 화소 면적 비 X FF |
|
다이오드전류(uA) |
0.38 |
0.26 |
0.27 |
전류밀도 X 다이오드 면적 |
Red OLED 특성 예
Green OLED 예
W/L, VDD 등이 결정 되면 아래 구동 파형에 대해 라인의 기생저항과 용량을 고려 하여 transient analysis 로 화소 동작 평가진행
