Al2O3

Year Group Precursor Substrate Temp. Carrier gas Purge time Reactant Purge time 후열처리 Depo rate 　 　 　
1912 Frounhofer Center TMA 220C thermal 　 　 H2O 　 Ar Low Pressure, 0.5h 1.02A/cycle 　 Interface and material characterization of thin ALD-Al2O 3 layers on crystalline silicon
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

　

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